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ESD5Z2.5T1G 发布时间 时间:2023/2/27 15:07:02 查看 阅读:268

    雪崩电压VBR Min.(V):4

    雪崩电压VBR Nom.(V):-

    雪崩电压VBR Max.(V):-

  

目录

概述

    雪崩电压VBR Min.(V):4

    雪崩电压VBR Nom.(V):-

    雪崩电压VBR Max.(V):-

    IT(mA):1

    峰值反向工作电压VRWM(V):2.500

    最大反向漏电流IR(uA):6

    最大反向电压(钳位电压)VC(V):10.900

    最大反向浪涌电流Ipp(A):11

    典型电容(pF)@0V:145

    保护线数:一线

    封装/温度(℃):SOD-523/-55~150


资料

厂商
ON Semiconductor

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ESD5Z2.5T1G参数

  • 标准包装10
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 二极管
  • 系列-
  • 电压 - 反向隔离(标准值)2.5V
  • 电压 - 击穿4V
  • 功率(瓦特)120W
  • 电极标记单向
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商设备封装SOD-523
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称ESD5Z2.5T1GOSDKR