时间：2025/8/22 18:28:29
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SK75GD07E3ETE 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽栅极技术制造，具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和各种高效率电源转换设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：75V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：70A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大7.5mΩ（在Vgs=10V时）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
SK75GD07E3ETE 采用先进的沟槽栅极技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而显著降低导通损耗，提高系统效率。
该MOSFET具有较高的电流承载能力，在连续漏极电流方面可达70A，适用于高功率应用。
其封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合用于需要高功率密度的设计。
由于其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），SK75GD07E3ETE 在高频开关应用中表现优异，能够有效减少开关损耗，提高系统响应速度。
SK75GD07E3ETE 常用于各种电源管理电路，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。
在工业自动化和电源系统中，该MOSFET可用于高效电源模块的设计。
由于其高可靠性和耐高温性能，SK75GD07E3ETE 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统。
此外，该器件还可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和储能系统中的功率开关控制。
STP75NF75, IRF1405, FDP75N06, FQP74N06
