TT92N12KOF 时间：2025/8/23 19:30:08 阅读：13

TT92N12KOF是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的平面技术，提供高功率密度和低导通电阻，适用于高频率和高效能的开关应用。TT92N12KOF的封装形式通常为TO-220或DPAK，适用于多种电子设备和工业控制电路。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：120V
　　最大漏极电流(ID)：9A
　　导通电阻(RDS(on))：0.35Ω
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2V至4V
　　最大栅极电压(VGSM)：±20V
　　功率耗散(PD)：25W
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

TT92N12KOF的主要特性包括其低导通电阻和高耐压能力，使其在高功率应用中表现出色。其低RDS(on)值减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，确保在高负载条件下仍能可靠工作。器件的栅极驱动要求较低，能够在较宽的VGS范围内稳定工作，适合多种驱动电路设计。
　　在封装方面，TT92N12KOF采用TO-220或DPAK封装，提供了良好的散热性能和机械稳定性。这种封装形式也便于在PCB上安装和焊接，适用于自动化生产和手工组装。器件的内部结构设计优化了电场分布，提高了击穿电压和可靠性，适用于长时间运行和高要求的应用环境。

应用

TT92N12KOF广泛应用于电源管理、开关电源(SMPS)、电机控制、负载开关和DC-DC转换器等场合。其高耐压和大电流能力使其适合用于电源转换器的主开关元件，也可用于工业控制电路中的高侧或低侧开关。此外，该MOSFET在电池管理系统和汽车电子系统中也有广泛应用，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。