类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：600V
　　额定集电极电流（IC）：60A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值）
　　输入电容（Cies）：约1800pF
　　输出电容（Coes）：约300pF
　　反向恢复时间（trr）：约180ns
　　短路耐受能力：5μs（典型值）

SK60GM063 具备多项先进特性，首先其采用了东芝的第二代IGBT芯片技术，使得导通压降和开关损耗得到了优化，从而提高了整体能效。其次，该模块内部采用了低电感封装结构，有助于减少开关过程中的电压尖峰，提高系统的稳定性。此外，该模块还具备较强的短路耐受能力，可在极端工况下提供一定的保护能力，增强系统的可靠性。SK60GM063 还具备良好的热管理性能，能够在较高的工作温度下稳定运行，适合于对散热要求较高的应用场景。最后，其双列直插式封装结构便于安装和维护，适用于多种工业和高功率应用场合。
　　该模块还具备出色的电磁兼容性（EMC）性能，能够有效降低高频开关过程中产生的电磁干扰，从而提高系统的整体稳定性和安全性。此外，SK60GM063 采用了优化的芯片并联设计，使得电流分布更加均匀，提高了模块的可靠性和寿命。

SK60GM063 主要应用于需要高功率密度和高效率的电力电子设备中，例如工业变频器、电动汽车电机驱动系统、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机和高频感应加热设备等。由于其具备优异的导通性能和开关特性，该模块非常适合用于PWM控制的逆变器电路中，能够有效提升系统的能效和响应速度。在电动汽车领域，该模块可用于车载充电器（OBC）和电机控制器中，为车辆提供高效稳定的功率转换能力。在工业自动化控制和新能源发电系统中，SK60GM063 也是一款广泛使用的功率开关器件。

Toshiba SK60GM063 可以使用以下替代型号：SK60GB063（同系列不同封装）、STMicroelectronics STGW60HM60WD、Infineon FS60SM60A、ON Semiconductor NGTB60N65FL2WG、Mitsubishi CM600DY-24A