型号：SK5AM00340
　　制造商：Samsung
　　存储类型：GDDR6 SDRAM
　　容量：16Gb（2GB）
　　位宽：32位（x32）
　　封装类型：FBGA
　　工作电压：VDD/VDDQ = 1.35V，VPP = 1.8V
　　最大数据传输率：16 Gbps
　　时钟频率：800 MHz（16 Gbps PAM-4等效）
　　接口类型：差分时钟输入，单端/伪差分命令与地址输入
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温）
　　刷新模式：自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）
　　支持功能：Write Preamble/Postamble，Read Leveling，Dynamic ODT，Per-Die Skew Calibration（PDSC）

SK5AM00340的核心特性在于其极高的带宽能力和优异的能效表现。该芯片基于PAM-4（四电平脉冲幅度调制）信号技术，相较于传统的NRZ（非归零）编码方式，能够在相同频率下实现两倍的数据传输效率，从而将数据速率达到16 Gbps。这种信号调制方式显著提升了单位引脚的数据吞吐能力，同时降低了高频下对物理布线的要求。芯片内部采用双通道架构设计，每个通道具备独立的I/O接口，允许GPU同时访问两个通道，有效提升整体显存带宽利用率。
　　为了保证高速信号的完整性，SK5AM00340引入了多项信号优化技术，包括动态ODT（On-Die Termination）、写前/后置均衡（Write Preamble/Postamble）和读取校准（Read Leveling）。这些功能可减少反射、串扰和时序偏移，确保在高频运行下的稳定通信。此外，该芯片支持Per-Die Skew Calibration（PDSC），能够实时校正芯片内部不同信号路径之间的延迟差异，进一步提升数据采样的准确性。
　　在功耗管理方面，SK5AM00340集成了多种节能机制。例如，温度补偿自刷新（TCSR）可根据芯片实际温度动态调整自刷新周期，在低温环境下降低功耗；动态电压频率调节（DVFS）则允许系统根据负载情况调节供电电压与时钟频率，实现按需供电。其核心电压为1.35V，I/O电压同样为1.35V，相比上一代GDDR5的1.5V供电有明显降低，有助于提升能效比。
　　可靠性方面，SK5AM00340具备内置自检（BIST）功能，可在上电初始化阶段对存储阵列进行快速检测，及时发现潜在故障。同时支持ECC（错误校正码）和CRC（循环冗余校验）等数据保护机制，增强系统的容错能力。该芯片还通过AEC-Q100等可靠性认证（视具体版本而定），适用于工业级和汽车级应用场景。其热设计充分考虑散热需求，采用导热垫片兼容封装结构，便于与显卡散热模块集成。

SK5AM00340主要应用于需要极高显存带宽的图形与计算设备中。最常见的使用场景是高端独立显卡，尤其是用于游戏、专业图形渲染、虚拟现实（VR）和实时光线追踪的GPU模组。多颗SK5AM00340芯片通常被焊接到显卡PCB上，组成完整的显存子系统，例如在一个384-bit或256-bit显存接口配置中并联使用多颗x32位宽的芯片，以达到所需总带宽。例如，NVIDIA和AMD的部分高端显卡均采用类似规格的GDDR6颗粒作为显存解决方案。
　　除了消费级显卡，SK5AM00340也被广泛用于数据中心和AI加速器中。在深度学习训练和推理任务中，模型参数和激活值需要频繁地在GPU核心与显存之间交换，因此显存带宽成为性能瓶颈之一。SK5AM00340提供的高吞吐量能够有效缓解这一问题，提升整体计算效率。此外，该芯片还可用于高性能计算（HPC）系统、视频编辑工作站、广播级图像处理设备以及自动驾驶计算平台等对实时性和数据吞吐要求严苛的应用领域。
　　在工业和嵌入式市场，部分高端FPGA加速卡或视觉处理单元（VPU）也会选用SK5AM00340作为外部高速缓存，用于临时存储大量传感器数据或图像帧。其宽温度工作范围和可靠的刷新机制使其适应恶劣环境下的长期运行。随着元宇宙、8K流媒体和边缘AI的发展，SK5AM00340的应用前景将持续扩展。

MT6V4008HH-16:MICRON
　　ADGF4724BCP:Dramix
　　H5GC8H24MJR016:SK Hynix