类型：N沟道MOSFET模块
　　最大漏极电流（ID）：55A
　　最大漏-源电压（VDS）：160V
　　导通电阻（RDS(on)）：约30mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：双列直插式（DIP）或表面贴装（SMD）
　　栅极驱动电压：10V至20V

SK55B16F MOSFET模块具备多个优良特性，适用于高功率和高效率应用。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。模块内部采用多个MOSFET并联结构，增强了电流承载能力和热稳定性。
　　此外，SK55B16F具备快速开关能力，适用于高频开关电源和电机控制应用，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而提高整体设计的紧凑性。该模块还具有良好的热性能，能够有效散热，保证长时间运行的稳定性。
　　其封装设计支持工业标准安装方式，便于集成到各种电源系统中。模块内部集成有保护电路，如过热保护和过流保护功能，提升了系统的安全性和可靠性。

SK55B16F MOSFET模块主要应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动器、变频器、逆变器、不间断电源（UPS）、电动车辆的功率管理系统、太阳能逆变器以及高功率DC-DC转换器。
　　在电机控制领域，SK55B16F可用于三相逆变器拓扑结构，实现对交流电机的高效控制；在太阳能系统中，它可用于DC-AC逆变器部分，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。
　　此外，该模块还适用于工业自动化系统中的伺服驱动器、焊接设备、电镀电源等高功率应用场景。

TK55A16K1AG2W, SK55B16F1AG2W