SK50DGDL066ETE 是由 IXYS 公司生产的一款双路碳化硅(SiC)肖特基二极管模块,主要用于高功率和高效率的电力电子系统中。该模块集成了两个独立的 SiC 肖特基二极管,具有高耐压、低正向压降和快速恢复时间等优点。SK50DGDL066ETE 特别适用于高频率、高效率的功率转换器,如太阳能逆变器、电动汽车充电系统、工业电源以及电机驱动系统等。该模块采用绝缘双列直插封装(SiP),具有良好的散热性能和绝缘性能,确保在严苛工作环境下的可靠运行。
器件类型:双路碳化硅肖特基二极管
最大重复峰值反向电压:650V
最大正向电流(每管):50A
正向电压(@25°C):约1.45V(@50A)
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:绝缘双列直插封装(SiP)
绝缘等级:符合UL 60950-1标准
安装方式:底座绝缘安装
爬电距离:≥8mm
引脚数量:7
重量:约25g
SK50DGDL066ETE 的核心特性之一是其基于碳化硅(SiC)材料的肖特基二极管结构,相较于传统的硅基肖特基二极管,SiC 材料具有更高的热导率、更宽的禁带宽度和更高的临界电场强度,这使得该器件在高温、高压和高频工作条件下依然能保持出色的性能。首先,SK50DGDL066ETE 的最大重复峰值反向电压可达 650V,使其适用于中高压功率转换应用。其次,该模块的每个二极管可承受最大 50A 的正向电流,具备较高的电流承载能力,适合高功率密度设计。此外,该模块的正向电压在 25°C 下约为 1.45V,在 50A 电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提高整体系统的效率。由于 SiC 肖特基二极管没有反向恢复电荷,因此其反向恢复时间为零,极大地减少了开关损耗,提升了功率变换器的动态性能。SK50DGDL066ETE 的封装设计采用绝缘双列直插式结构,具备良好的电气绝缘性能和机械稳定性,适用于恶劣的工业环境。该模块的爬电距离大于 8mm,符合 UL 60950-1 安全标准,确保了在高电压应用中的安全性。此外,其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适用于高温环境下的稳定运行。模块的封装材料具有良好的耐热性和抗老化性能,能够长期承受高功率运行带来的热应力。
SK50DGDL066ETE 主要应用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的电力电子系统中。该模块广泛用于太阳能逆变器中作为功率整流元件,用于将光伏板产生的直流电转换为交流电并馈入电网,其低正向压降和零反向恢复电荷有助于提升逆变器的转换效率并减少热损耗。在电动汽车充电系统中,SK50DGDL066ETE 可用于整流和功率因数校正电路,其高频特性有助于减小滤波器和电感元件的体积,从而提高整体系统的紧凑性。此外,该模块也适用于工业电源、不间断电源(UPS)系统以及电机驱动器中的整流和续流应用。其高耐压能力和高工作温度适应性使其成为工业自动化、轨道交通和可再生能源系统中的理想选择。SK50DGDL066ETE 的封装设计使其易于集成到 PCB 板上,并具备良好的热管理和电气隔离性能,适用于多种拓扑结构如 Boost、Buck-Boost、全桥和半桥电路等。
SK50DGDL066EPE、SK50DGDL066ET、SK50DGDL066T