SK50DB100 是一款由东芝(Toshiba)生产的高耐压、大电流的双刀双掷(DPDT)功率MOSFET模块,广泛应用于需要高可靠性和高效能的电力电子系统中,如电源转换器、逆变器和电机驱动电路。该模块采用先进的封装技术,具备良好的散热性能和电气隔离能力。
类型:功率MOSFET模块
配置:双刀双掷(DPDT)
最大漏极电流(ID):50A(每个通道)
最大漏-源电压(VDS):100V
导通电阻(RDS(on)):典型值0.035Ω(每个通道)
工作温度范围:-40°C至+150°C
封装类型:TO-247AD
绝缘耐压:2500Vrms(模块与散热片之间)
SK50DB100模块具有优异的电气性能和热管理能力。其主要特性包括:
? 高电流承载能力:每个通道可承受高达50A的连续漏极电流,适用于高功率应用。
? 低导通电阻:RDS(on)仅为0.035Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
? 高耐压能力:最大漏-源电压为100V,适用于中高压电力电子系统。
? 优化的封装设计:TO-247AD封装提供了良好的散热性能,同时确保了模块与散热器之间的电气隔离。
? 高可靠性:模块内部采用优质MOSFET芯片,结合先进的封装工艺,确保了长期工作的稳定性和可靠性。
? 安全认证:符合RoHS和REACH标准,适用于工业级和汽车级应用环境。
SK50DB100广泛应用于各种高功率电力电子设备中,包括:
? 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于电信、服务器和工业电源系统。
? 逆变器:适用于太阳能逆变器、储能系统和UPS不间断电源。
? 电机驱动:用于工业自动化设备、电动工具和电动汽车的电机控制系统。
? 工业自动化:在PLC、伺服驱动器和变频器中实现高效的功率开关控制。
? 电动汽车充电设备:作为充电模块中的核心功率器件,负责高效的能量传输。
SK50DB100的替代型号包括SK50DB120、TK50DB100U、STP50NF10和IRFZ44N,这些型号在某些应用中可提供相似的性能和兼容性。