KF9N25D KF9N25 时间：2025/9/11 19:18:14 阅读：3

KF9N25D 是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及开关电源等电子电路中。该器件采用TO-220或TO-252等封装形式，具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力。KF9N25D 的设计使其在低电压应用中表现优异，适合用于需要高效开关性能的电路中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：250V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：9A（在25℃）
　　功耗(Pd)：40W
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.35Ω
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-252

特性

KF9N25D 是一款性能稳定的N沟道MOSFET，其主要特性包括较高的耐压能力和良好的导通性能。该器件的漏源电压可达250V，适用于中高压电源控制应用。其栅源电压范围为±20V，具备较好的栅极保护能力，防止过压损坏。KF9N25D 在25℃环境温度下的连续漏极电流可达9A，能够支持较高的负载能力，但在实际应用中需注意散热设计以确保器件稳定工作。该MOSFET的导通电阻典型值为0.35Ω，能够在导通状态下保持较低的功率损耗，提高系统效率。此外，KF9N25D 的封装形式（如TO-220或TO-252）便于安装在散热片上，提升散热效果，适用于各种高功率应用场景。该器件的工作温度范围为-55℃至+150℃，具备良好的环境适应性，适用于工业级和消费类电子产品。