类型：N沟道
　　最大漏极电流（ID）：45A
　　最大漏源电压（VDS）：120V
　　导通电阻（RDS(on)）：约4.5mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：170nC
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

SK45MLET12的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率；高电流承载能力，使其能够应对大功率负载的需求；良好的热稳定性，确保在高温环境下依然可靠运行；其表面贴装封装设计不仅节省空间，还便于自动化生产。此外，该MOSFET具备较强的抗过载能力，能够在短时间内承受超过额定值的电流，适用于需要瞬态保护的应用场景。
　　在设计方面，SK45MLET12的栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至20V之间工作，确保了与多种驱动电路的兼容性。同时，该器件的快速开关特性降低了开关损耗，使其适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。其低反向传输电容（Crss）也有助于提高高频性能，减少寄生振荡的可能性。
　　此外，SK45MLET12采用了先进的硅技术与封装工艺，提供了优异的可靠性与耐用性。该器件符合RoHS环保标准，适用于对环境友好型产品设计有要求的应用场合。

SK45MLET12广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统等。由于其高效率和紧凑型封装特性，特别适合用于空间受限但需要高性能的便携式设备和高密度电源模块。此外，在新能源领域如太阳能逆变器、电动汽车充电系统中，SK45MLET12也常被用作关键的功率开关元件。

TK45A120D1, IRF3710, FDP45M120, Si4410DY