时间：2025/5/16 14:58:47
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FQB2N90是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的电路中。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合在高频应用场合下工作。
FQB2N90采用了先进的制造工艺，确保其能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，同时提供出色的电气性能。
最大漏源电压：90V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：2.4A
导通电阻：1.5Ω
总功耗：1.7W
结温范围：-55℃至175℃
1. 低导通电阻设计，能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高击穿电压（90V）使其适用于多种高压应用场景。
3. 快速开关特性，适合高频开关电源和PWM控制电路。
4. 小型封装，便于PCB布局和散热管理。
5. 工作温度范围宽，适应恶劣环境下的使用需求。
6. 内置反向恢复二极管，进一步优化了开关性能并减少了电磁干扰。
1. 开关电源和适配器设计中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的电子开关。
3. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
4. 负载切换和保护电路。
5. 其他需要高性能功率切换的应用场景。
IRFZ44N
STP24NF06
AO3400
