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IS25WP016D-JBLE-TR 发布时间 时间:2025/9/1 18:57:34 查看 阅读:22

IS25WP016D-JBLE-TR 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的串行闪存存储器芯片,属于高性能、低功耗的 NOR Flash 存储器类别。该芯片具有16MB(128Mbit)的存储容量,适用于需要快速读取和可靠存储的应用场景,如嵌入式系统、工业控制、消费类电子产品等。其采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信,支持多种读写模式,包括单线、双线和四线模式,以提高数据传输效率。

参数

容量:128Mbit(16MB)
  接口:SPI(支持单线/双线/四线操作)
  工作电压:2.3V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:8引脚 SOIC
  读取速度:最大支持80MHz时钟频率
  擦写周期:10万次以上
  数据保持时间:大于20年

特性

IS25WP016D-JBLE-TR 采用先进的工艺制造,具备低功耗和高性能的特点。芯片支持多种读写模式,包括快速读取模式、双输出读取模式和四通道高速读取模式(Quad I/O),从而显著提高数据传输速率。其SPI接口兼容性好,能够方便地集成到各种嵌入式系统中。
  此外,该芯片内置块保护机制,支持软件和硬件写保护功能,可防止意外写入或擦除操作,从而提高数据的安全性和可靠性。芯片还具备高度的耐用性,支持超过10万次的擦写周期,并能在高温环境下稳定工作,适用于工业级应用。
  IS25WP016D-JBLE-TR 提供8引脚SOIC封装,体积小巧,适合空间受限的设计。其宽电压范围(2.3V至3.6V)使其适用于多种电源系统,具备良好的灵活性和适应性。

应用

IS25WP016D-JBLE-TR 广泛应用于需要非易失性存储器的嵌入式系统中,例如工业控制设备、通信模块、消费类电子产品(如智能手表、智能家电)、医疗设备、汽车电子系统以及物联网(IoT)设备。该芯片的高可靠性、宽工作温度范围和灵活的接口特性,使其特别适合用于对数据存储稳定性和系统性能有较高要求的场景。此外,它也可用于固件存储、数据日志记录以及代码存储等用途。

替代型号

IS25WP128D-JBLF-TR, MX25R12835FZNI-12G, S25FL128SDSHBHI010, W25Q128JVSIQ

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IS25WP016D-JBLE-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥6.02154卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织2M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页800μs
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.65V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC