类型：IGBT模块
　　额定集电极电流（IC）：45A
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　封装形式：SCT
　　内部配置：半桥（Half Bridge）结构
　　芯片技术：采用第三代或第四代IGBT芯片（具体取决于产品批次）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　热阻（Rth）：典型值约为0.35°C/W（模块到散热器）
　　短路耐受能力：支持短时过载和短路保护

SK45MH120TSCP具有多项先进的性能特点。首先，该模块采用了优化的IGBT和二极管芯片设计，使得导通压降和开关损耗显著降低，从而提高了整体效率。其次，该模块具有优异的热管理性能，其低热阻设计有助于快速将热量从芯片传导至散热器，从而延长模块的使用寿命。
　　此外，SK45MH120TSCP在封装上采用了坚固的外壳和高耐热材料，确保了模块在高温和高湿环境下的稳定运行。该模块还具备良好的短路保护能力，可以在异常工况下提供额外的安全保障。
　　模块的电气绝缘性能也非常出色，符合IEC 60176-1等国际标准，适用于各种中高功率应用场合。其封装设计便于安装和维护，同时支持多种散热方式，如风冷或水冷。
　　由于其高性能、高可靠性和紧凑的设计，SK45MH120TSCP广泛应用于工业自动化、电力调节、新能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）、电动汽车充电设备等领域。

SK45MH120TSCP主要用于需要高效率、高可靠性和紧凑型功率模块的应用场景。常见的应用包括工业电机驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、电焊机、感应加热系统以及可再生能源系统中的逆变器部分（如太阳能逆变器和风力发电变流器）。此外，该模块也可用于电动汽车充电桩、储能系统以及智能电网相关设备中，提供高效的电能转换与控制功能。

SKM45MB120T4V1, FS45MR12W1M_B11