类型：双N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23-6
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：每通道3A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（@Vgs=4.5V）
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（@Vgs=2.5V）
　　阈值电压（Vth）：0.8V ~ 1.5V
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：约220pF
　　输出电容（Coss）：约100pF
　　反向传输电容（Crss）：约35pF
　　功率耗散（Pd）：1W（@Ta=25°C）

DAN202C的核心特性之一是其双N沟道MOSFET集成结构，在单个SOT-23-6封装内集成了两个完全独立的MOSFET单元，这种设计极大地提高了功率密度，适用于空间受限的应用场合。每个通道均可独立操作，允许灵活配置为同步整流器、H桥驱动、负载开关或电平转换电路。由于采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，DAN202C实现了非常低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=4.5V时典型值仅为35mΩ，这显著降低了导通损耗，提升了系统效率，尤其在大电流开关应用中优势明显。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。DAN202C具有较小的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），使得器件能够在高频下快速开启和关断，减少开关过渡时间，从而降低动态损耗。这对于DC-DC转换器、开关稳压器和PWM控制电路尤为重要。同时，较低的输入电容也减轻了驱动电路的负担，使它更容易与微控制器GPIO直接接口而无需额外的驱动级。
　　热稳定性方面，DAN202C通过优化芯片布局和封装材料，确保在高负载条件下仍能有效散热。尽管其封装小巧，但在适当的PCB布局下（如增加铜箔面积作为散热焊盘），可实现良好的热传导效果，支持持续工作电流达3A每通道。此外，该器件具备较强的抗静电能力（ESD保护）和过温耐受性，增强了在复杂电磁环境下的可靠性。所有参数均经过严格测试，并符合RoHS环保标准，适合自动化贴片生产和无铅回流焊工艺。
　　值得一提的是，DAN202C还具有良好的线性区控制能力，可用于小信号模拟开关或恒流源设计。其跨导（gm）较高，能够在较低的栅极电压变化下实现较大的漏极电流调节，适用于精密电流控制应用。综合来看，DAN202C凭借其高性能、小尺寸和高集成度，成为现代低功耗、高效率电子系统中的理想选择之一。

DAN202C广泛应用于多种低电压、中等功率的电子系统中，尤其适合需要紧凑设计和高效能表现的场合。一个典型应用是在便携式设备中的电源路径管理和负载开关控制，例如在智能手机和平板电脑中用于启用或禁用特定功能模块（如Wi-Fi模组、摄像头传感器或背光驱动），以实现按需供电，延长电池续航时间。其低导通电阻和快速响应能力确保了在开关过程中能量损失最小化，并避免电压跌落问题。
　　在DC-DC转换电路中，DAN202C常被用作同步整流器，替代传统的肖特基二极管，从而大幅提高转换效率。特别是在降压（Buck）变换器中，其中一个MOSFET作为主开关，另一个作为同步整流管，利用其双向导通特性实现高效的能量传递。此外，它也可用于构建半桥或全桥拓扑结构，驱动小型电机或执行器，常见于微型机器人、无人机舵机控制系统或智能家电中。
　　另一个重要应用场景是信号路由与电平转换。由于DAN202C可在不同电压域之间进行切换（例如1.8V与3.3V逻辑之间），因此非常适合用于I2C、SPI等串行通信总线的电平匹配。在这种应用中，MOSFET工作在饱和区，利用其栅极隔离特性实现双向信号传输而无需方向控制引脚，简化了电路设计。
　　此外，DAN202C还可用于LED驱动电路，作为恒流开关元件，配合限流电阻或反馈网络实现亮度调节。在电池充电管理系统中，也可用于充放电通路的隔离控制，防止反向电流流动。总之，得益于其多功能性和高可靠性，DAN202C已成为消费电子、工业控制、物联网终端和嵌入式系统中不可或缺的关键元器件之一。

DMG2305UX
　　FDS6679
　　SI2302DDS