SK45GH065F是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET模块,主要用于高功率和高频应用,例如电源转换器、马达驱动器和逆变器。该模块采用先进的封装技术,具有优异的热管理和电气性能,确保在高负载条件下的稳定运行。
类型:功率MOSFET模块
漏极-源极电压(Vds):650V
连续漏极电流(Id):45A
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.065Ω
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-247AC
栅极电荷(Qg):典型值为130nC
短路耐受能力:有
符合RoHS标准:是
SK45GH065F具备多个关键特性,使其在高性能应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))减少了导通损耗,提高了系统的能效。其次,该模块具有较高的击穿电压,可在高压环境下稳定运行。此外,SK45GH065F采用先进的封装设计,提供了良好的散热性能,确保在高电流条件下的长期可靠性。
该器件还具有快速开关能力,适用于高频开关应用,减少开关损耗并提高整体效率。模块内部结构优化,降低了寄生电感,从而减少电磁干扰(EMI),提高系统稳定性。此外,该器件具备较强的短路耐受能力,可在异常工作条件下提供额外的保护。
SK45GH065F的封装设计也使其易于安装和散热管理,适用于各种工业和高功率应用。其符合RoHS标准,确保环保生产并满足现代电子设备的环保要求。
SK45GH065F广泛应用于多种高功率电子系统中,例如:
- 电源供应器:用于高效开关电源(SMPS)中的功率转换和稳压。
- 电机驱动:用于工业自动化和电机控制系统的功率开关。
- 逆变器:适用于太阳能逆变器、UPS系统和其他能量转换设备。
- 电动汽车充电设备:用于电动汽车充电站的功率转换模块。
- 电力电子系统:如变频器、DC-DC转换器等高频功率转换应用。
TK45GH065F、SiHP065N60ED、IRF650N、FQA40N60