SK44BL-TP 时间：2025/8/23 19:38:51 阅读：15

SK44BL-TP 是一款由 SK Hynix（现为 SGI Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率的开关应用设计，广泛用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、负载开关、电池管理系统等电子设备中。该 MOSFET 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和电流承载能力，适合中高功率应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：140A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

SK44BL-TP MOSFET 具备低导通电阻（RDS(on)）特性，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其 RDS(on) 典型值为 5.5mΩ，在高电流应用中能有效减少发热。
　　该器件的漏源电压为 30V，适用于多种低压功率转换系统，如服务器电源、电信设备、工业控制系统等。最大连续漏极电流可达 140A，适合高负载需求的应用场景。
　　SK44BL-TP 采用 TO-252 封装，具有良好的热管理能力，便于安装在 PCB 上并实现高效的散热。该封装形式广泛用于中高功率应用，具备较强的耐用性和稳定性。
　　此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V，适用于常见的 10V 或 12V 驱动电路，兼容多种驱动IC和控制器。其高栅极电压容忍度提高了在复杂工作环境中的可靠性。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场合。

应用

SK44BL-TP 主要用于各类高效率功率转换系统，如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、电源管理单元（PMU）、负载开关以及电池管理系统等。
　　在服务器和通信设备中，SK44BL-TP 常用于高效率的电源模块，以实现高电流输出和低导通损耗。其低 RDS(on) 和高电流能力使其非常适合用于多相电源设计。
　　在电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）系统中，该 MOSFET 可用于车载充电器、DC-DC 转换器和电池保护电路，确保系统的高效率和稳定性。
　　此外，SK44BL-TP 还可用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、储能系统和智能电表等场景，提供可靠的功率控制和开关性能。