时间：2025/6/22 7:28:28
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SK40N15 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-220 封装，适用于需要高效率和低导通损耗的电力电子应用。其主要特点是具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合于开关电源、电机驱动器以及 DC-DC 转换器等场景。
SK40N15 的设计目标是为中高功率应用提供可靠的性能表现，同时保证优秀的热稳定性和耐用性。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：35mΩ
栅极电荷：40nC
开关时间（典型值）：ton=80ns, toff=70ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
1. 高耐压能力，额定漏源电压为 150V，适用于多种工业级应用。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
3. 快速开关特性，有助于降低开关损耗并提升高频操作性能。
4. 优化的热阻设计，确保在高温环境下仍能保持可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
6. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的保护功能。
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制与驱动电路，例如无刷直流电机和步进电机。
3. 逆变器和 UPS 系统中的功率转换模块。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源相关应用。
6. 各类电池管理系统 (BMS) 中的充放电管理。
IRFZ44N
STP40NF06
FDP5800
