SK36_R2_000A6 时间：2025/8/14 12:45:31 阅读：23

SK36_R2_000A6 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款功率MOSFET晶体管，属于STPOWER系列。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，适用于各种工业和汽车应用。该MOSFET采用先进的沟槽栅极和场截止技术，提供了低导通损耗和开关损耗的平衡，从而提高了整体能效。其R2版本可能代表特定的封装或产品变种。

参数

类型: N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）: 36A
　　漏源电压（VDS）: 600V
　　导通电阻（RDS(on)）: 0.185Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）: 65nC（典型值）
　　封装类型: TO-247
　　工作温度范围: -55°C至150°C
　　最大工作电压: 600V

特性

SK36_R2_000A6 MOSFET具有多个关键特性，使其在高性能功率转换应用中表现出色。首先，它具有较低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。其次，该器件的栅极电荷（Qg）较低，从而减少了开关过程中的能量损失，提高了开关速度和效率，特别适合高频开关应用。
　　此外，该MOSFET采用了STMicroelectronics先进的沟槽栅极和场截止技术，优化了电场分布，提高了器件的耐压能力，同时降低了短路和过载条件下的失效风险。其高雪崩能量能力确保在极端条件下仍能保持稳定运行。
　　该器件的TO-247封装提供了良好的热管理和机械稳定性，适合在高功率密度环境中使用。同时，其宽工作温度范围使其适用于严苛的工业和汽车环境，如电动汽车充电系统、逆变器、电机控制和电源管理设备。
　　SK36_R2_000A6 还具有良好的抗热阻能力，减少了热失控的风险，确保在高温环境下依然保持稳定的电气性能。这使其成为需要高可靠性和长寿命设计的理想选择。