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SK36_R2_000A6 发布时间 时间:2025/8/14 12:45:31 查看 阅读:19

SK36_R2_000A6 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款功率MOSFET晶体管,属于STPOWER系列。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用,适用于各种工业和汽车应用。该MOSFET采用先进的沟槽栅极和场截止技术,提供了低导通损耗和开关损耗的平衡,从而提高了整体能效。其R2版本可能代表特定的封装或产品变种。

参数

类型: N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID): 36A
  漏源电压(VDS): 600V
  导通电阻(RDS(on)): 0.185Ω(典型值)
  栅极电荷(Qg): 65nC(典型值)
  封装类型: TO-247
  工作温度范围: -55°C至150°C
  最大工作电压: 600V

特性

SK36_R2_000A6 MOSFET具有多个关键特性,使其在高性能功率转换应用中表现出色。首先,它具有较低的导通电阻(RDS(on)),有助于减少导通状态下的功率损耗,提高整体效率。其次,该器件的栅极电荷(Qg)较低,从而减少了开关过程中的能量损失,提高了开关速度和效率,特别适合高频开关应用。
  此外,该MOSFET采用了STMicroelectronics先进的沟槽栅极和场截止技术,优化了电场分布,提高了器件的耐压能力,同时降低了短路和过载条件下的失效风险。其高雪崩能量能力确保在极端条件下仍能保持稳定运行。
  该器件的TO-247封装提供了良好的热管理和机械稳定性,适合在高功率密度环境中使用。同时,其宽工作温度范围使其适用于严苛的工业和汽车环境,如电动汽车充电系统、逆变器、电机控制和电源管理设备。
  SK36_R2_000A6 还具有良好的抗热阻能力,减少了热失控的风险,确保在高温环境下依然保持稳定的电气性能。这使其成为需要高可靠性和长寿命设计的理想选择。

应用

SK36_R2_000A6 MOSFET广泛应用于多个领域,包括工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、电机驱动器、UPS(不间断电源)、DC-DC转换器以及各类高功率开关电源系统。此外,它也适用于家用电器和智能电网系统中的功率管理模块。

替代型号

STW34NK60Z, STW20NM60ND, STP36NK60Z

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