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AZ5125-01F.R7G 发布时间 时间:2025/7/4 23:21:35 查看 阅读:5

AZ5125-01F.R7G是一款高性能的功率MOSFET晶体管,主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,在保证高效能的同时,还具有出色的可靠性和稳定性。
  此型号属于R7G系列,特别针对低导通电阻和高效率设计进行了优化,适合要求苛刻的电力电子应用场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  封装形式:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):40A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):180W
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

1. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关速度,有助于降低开关损耗,适用于高频应用环境。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 内置ESD保护功能,提高了芯片对静电放电的耐受能力。
  5. 绿色环保材料,符合RoHS标准,无铅无卤素设计。
  6. 提供了优越的热性能表现,能够承受较大的脉冲电流冲击。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器及降压/升压变换电路。
  3. 电机控制与驱动电路。
  4. 各种负载开关应用。
  5. 汽车电子系统中的电池保护和管理系统。
  6. 工业自动化设备中的功率切换元件。

替代型号

IRF540N
  FDP5800
  AO3400

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