时间：2025/7/4 23:21:35
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AZ5125-01F.R7G是一款高性能的功率MOSFET晶体管，主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，在保证高效能的同时，还具有出色的可靠性和稳定性。
此型号属于R7G系列，特别针对低导通电阻和高效率设计进行了优化，适合要求苛刻的电力电子应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：180W
工作温度范围：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关速度，有助于降低开关损耗，适用于高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 内置ESD保护功能，提高了芯片对静电放电的耐受能力。
5. 绿色环保材料，符合RoHS标准，无铅无卤素设计。
6. 提供了优越的热性能表现，能够承受较大的脉冲电流冲击。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器及降压/升压变换电路。
3. 电机控制与驱动电路。
4. 各种负载开关应用。
5. 汽车电子系统中的电池保护和管理系统。
6. 工业自动化设备中的功率切换元件。
IRF540N
FDP5800
AO3400
