类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：35A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤55mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-220
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功耗（PD）：150W
　　漏极电容（Ciss）：约1800pF

SK35NT14具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子领域中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET结构，提供了优异的热稳定性和较高的电流密度，确保在高负载条件下依然保持良好的性能。
　　此外，SK35NT14具备较强的热阻能力和较高的散热效率，适用于高功率密度设计。其TO-220封装形式不仅便于安装，还能有效散热，延长器件的使用寿命。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至20V驱动电压，适用于多种驱动电路设计。
　　在开关性能方面，SK35NT14具有较快的上升时间和下降时间，减少了开关损耗，并提升了高频应用的适应能力。其较低的输入电容（Ciss）也有助于降低驱动电路的负担，提高响应速度。同时，该器件具备较强的短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供一定的保护功能。

SK35NT14广泛应用于各种功率电子设备和系统中，包括但不限于：
　　电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流电路等，用于提高电源转换效率并减小体积。
　　电机控制：用于电动工具、工业自动化设备、机器人等电机驱动系统，提供高效的功率开关功能。
　　汽车电子：适用于汽车电源系统、车载充电器、LED照明驱动等场景，满足汽车应用对高可靠性和高温稳定性的需求。
　　工业控制：用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器、变频器等工业自动化设备，提供稳定的功率开关支持。
　　消费电子：如笔记本电脑、游戏机、大功率LED灯具等设备的电源管理模块。

IRF3710, SiHH35N10, FDP35N10