您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PJA3433-AU_R1_000A1

PJA3433-AU_R1_000A1 发布时间 时间:2025/8/14 14:05:13 查看 阅读:15

PJA3433-AU_R1_000A1是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出的高性能射频功率晶体管,专门用于汽车应用中的射频功率放大器设计。该器件采用了先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,具有高增益、高效率和高可靠性的特点,适用于广播和通信设备中的射频功率放大器模块。

参数

类型:射频功率晶体管
  技术:LDMOS
  最大漏极电流:300 mA
  最大漏源电压:30 V
  工作频率范围:10 MHz至1 GHz
  输出功率:典型值为10 W(在1 GHz)
  增益:20 dB(典型值)
  封装类型:SOT-500
  工作温度范围:-40°C至+150°C

特性

PJA3433-AU_R1_000A1射频功率晶体管具有多项优异特性,使其在汽车射频应用中表现出色。首先,其采用了LDMOS技术,能够在较高的频率下保持高效率和稳定性,适用于多频段操作。其次,该晶体管具备高线性度,能够在复杂的调制信号下提供低失真放大,这对于保持信号的完整性至关重要。此外,PJA3433-AU_R1_000A1具备良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定的性能,适用于汽车电子系统中可能遇到的极端工作条件。其SOT-500封装形式不仅提供了良好的散热性能,还便于在紧凑型设计中使用。最后,该器件的高可靠性确保了在长期运行中维持稳定性能,满足汽车行业的严格要求。

应用

PJA3433-AU_R1_000A1主要应用于汽车射频系统,如车载广播接收器、远程信息处理系统和车载通信模块。此外,该晶体管还可用于工业和消费类射频设备中的功率放大器设计,如无线基站、射频测试设备和宽带通信系统。由于其高稳定性和高效率特性,该器件在需要高线性度和低失真的应用场景中表现出色。

替代型号

PJA3433-AU_R1_000A1的替代型号包括TSM1128和MRF6S20060H。这些型号在性能和应用方面与PJA3433-AU_R1_000A1相似,可根据具体设计需求进行选择。

PJA3433-AU_R1_000A1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PJA3433-AU_R1_000A1参数

  • 现有数量47,970现货
  • 价格1 : ¥2.62000剪切带(CT)3,000 : ¥0.46078卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)370 毫欧 @ 1.1A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)125 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.25W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3