类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：120V
　　最大漏极电流（ID）：35A
　　导通电阻（RDS(on)）：约6.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：70nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220

SK35MLLE120 具有以下显著特性：
　　1. **低导通电阻（RDS(on)）**：该MOSFET的导通电阻非常低，通常为6.8毫欧，有助于降低导通损耗，提高系统效率，特别适用于高电流应用场景。
　　2. **高电流承载能力**：最大漏极电流可达35A，适合用于高功率密度设计，如电源模块和DC-DC转换器。
　　3. **高耐压能力**：漏源电压最大可达120V，使其适用于中高压电源系统，如工业电源和电机控制电路。
　　4. **高可靠性**：采用Toshiba的U-MOS VIII-H沟槽技术，提供优异的热稳定性和长期可靠性，适用于高温工作环境。
　　5. **优异的热性能**：TO-220封装具有良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。
　　6. **快速开关特性**：由于其低栅极电荷（Qg=70nC），SK35MLLE120能够在高频下工作，减少开关损耗，提升整体系统效率。
　　7. **广泛的工作温度范围**：从-55°C到+175°C，确保在各种恶劣环境下稳定运行。

SK35MLLE120 广泛应用于以下领域：
　　1. **电源系统**：如AC-DC电源、DC-DC转换器、同步整流器等，用于提高转换效率和功率密度。
　　2. **电机控制**：适用于直流电机驱动和无刷直流电机控制电路，提供高效、稳定的功率开关。
　　3. **工业自动化**：用于工业变频器、伺服驱动器和工业电源模块等设备中，提升系统的可靠性和能效。
　　4. **汽车电子**：如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等应用。
　　5. **可再生能源系统**：包括太阳能逆变器、储能系统和风能转换系统中的功率开关器件。
　　6. **家电与消费电子**：适用于高功率家电如电磁炉、电饭煲、电动工具等，实现高效的功率控制。

TK35A100D, IRF3710, SiHH35N120, IPW60R120PFD