时间：2025/8/6 0:23:42
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IXBP5N160G 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器、马达控制等高功率场合。这款 MOSFET 采用高压技术，具备优异的导通性能和快速的开关特性，适用于要求高效率和高性能的功率转换系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：1600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：5A
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-264（IXBP5N160G）
导通电阻（Rds(on)）：约 3.2Ω（最大）
最大耗散功率（Ptot）：150W
栅极电荷（Qg）：约 75nC
输入电容（Ciss）：约 1800pF
反向恢复时间（trr）：不适用（属于单极器件）
IXBP5N160G 的主要特性包括其高耐压能力（1600V Vds），适用于高电压应用。该器件采用先进的平面技术，提供出色的导通电阻与电压等级的平衡，有助于减少导通损耗并提高效率。其 TO-264 封装设计具备良好的散热性能，适用于高功率密度系统。此外，该 MOSFET 提供较高的开关速度，使其适用于高频开关应用，同时其栅极驱动电压范围宽，便于驱动电路设计。
器件具有良好的热稳定性和可靠性，适合在恶劣工作环境下运行。此外，其低栅极电荷（Qg）降低了开关损耗，提高整体系统效率。由于其单极性结构，不存在双极晶体管的存储时间问题，因此在高频开关应用中表现出色。
IXBP5N160G 常用于高电压开关电源、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、马达控制、逆变器、焊接设备以及工业自动化系统中。此外，该器件也适用于太阳能逆变器、电能质量调节系统等高功率电子设备。
IXFP5N160G, IXFH5N160G, IXFN5N160G
