SK34BG-T 时间：2025/8/21 21:29:22 阅读：25

SK34BG-T 是一款由 Sanken（三垦电气株式会社）制造的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率开关应用。该器件具有高效率、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于各种电源管理和功率转换电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：180A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ（最大值）
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

SK34BG-T 具有非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。其封装设计优化了热管理性能，使得在高电流条件下仍能保持稳定运行。
　　此外，该 MOSFET 支持高栅极电压，从而实现更快的开关速度和更低的开关损耗。其坚固的结构设计确保了在恶劣工作环境下的可靠性和长寿命。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护功能，使其在各种工业和汽车应用中表现出色。