类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：30A
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大66毫欧（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220

SK30GD066ETP 具有多个优异的电气和热性能特性，确保其在严苛的工作环境中稳定运行。
　　首先，该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极设计，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。这使得它在高频率开关应用中表现出色。
　　其次，该器件支持高达30A的连续漏极电流，并且在60V的漏源电压下仍能稳定运行，适用于多种中高功率应用。
　　此外，SK30GD066ETP 的封装形式为TO-220，这种封装具备良好的热传导性能，能够有效散热，延长器件的使用寿命。
　　其栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的驱动电路设计，便于集成到现有系统中。
　　最后，该器件的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于高温和恶劣环境下的应用，如工业控制、电源适配器、电动车电驱系统等。

SK30GD066ETP 广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中，包括但不限于：
　　? DC-DC转换器：适用于高效率的电源转换模块，如升降压变换器（Buck-Boost Converter）和同步整流电路。
　　? 电池管理系统（BMS）：用于电动工具、电动车及储能系统的电池充放电控制电路中。
　　? 工业自动化和电机控制：作为功率开关元件，用于控制直流电机、伺服电机和步进电机等。
　　? 电源适配器和充电器：用于高效率AC-DC电源模块中，作为同步整流或功率开关器件。
　　? 太阳能逆变器与储能系统：在光伏逆变器中用于功率转换和能量管理。
　　这些应用得益于SK30GD066ETP的低导通电阻、高电流能力和优异的热稳定性，能够在高频率和高温环境下保持高效率运行。

IPD90N06S4-03, FDP066N06, STD30NF06, STP30NF06