RSD140P06 时间：2025/6/16 22:21:39 阅读：3

RSD140P06 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装。这款器件具有低导通电阻和快速开关速度的特性，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
　　其设计旨在提供高效率和高可靠性，在汽车电子和工业控制领域也有较多应用。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：18A
　　导通电阻：4.3mΩ
　　栅极电荷：17nC
　　工作温度范围：-55℃ to 150℃
　　封装类型：TO-252 (DPAK)

特性

RSD140P06 具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 4.5V 栅极驱动电压下为 4.3mΩ，这有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关性能，具有较低的栅极电荷（Qg=17nC），从而减少开关损耗。
　　3. 高雪崩能力，确保在异常条件下具备更强的耐受能力。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且适用于多种现代电子设备。
　　5. 较宽的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），使其能够适应恶劣环境下的应用需求。

应用

该 MOSFET 的典型应用场景包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
　　2. DC-DC 转换器中的同步整流或主开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率开关。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 工业自动化及汽车电子中的功率控制模块。
　　RSD140P06 的低 Rds(on) 和高效率表现使其成为这些领域的理想选择。