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SK3003 发布时间 时间:2025/9/21 5:39:04 查看 阅读:17

SK3003是一款由Silan(士兰微电子)生产的N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及照明镇流器等高效率、高频率的电力电子电路中。该器件采用先进的平面工艺技术制造,具有低导通电阻、高可靠性及优良的热稳定性等特点。其封装形式为TO-220或TO-220F,适合于多种散热需求的应用场景。SK3003特别适用于600V耐压等级下的中等功率应用,能够有效降低系统功耗并提升整体能效。此外,该芯片具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极结构设计,增强了在恶劣工作环境下的稳定性和寿命。作为一款性价比较高的国产MOSFET产品,SK3003在国内电源类电子产品中得到了广泛应用,并逐步替代部分进口同类器件。

参数

型号:SK3003
  类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压VDS:600V
  栅源电压VGS:±30V
  连续漏极电流ID:3A(@TC=25℃)
  脉冲漏极电流IDM:12A
  导通电阻RDS(on):≤7.5Ω(@VGS=10V)
  阈值电压Vth:2~4V
  最大功耗PD:50W
  工作结温Tj:-55~+150℃
  存储温度Tstg:-55~+150℃
  封装形式:TO-220/TO-220F

特性

SK3003采用高性能的硅基材料与优化的平面工艺设计,确保了其在高压应用中的优异性能表现。其低导通电阻特性使得在导通状态下能量损耗显著降低,从而提高了电源系统的整体效率,尤其适合用于高频开关模式电源中。该器件具有较高的输入阻抗和快速的开关响应速度,能够在微秒级时间内完成导通与截止状态的切换,减少了开关过程中的过渡损耗。同时,SK3003具备出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的电气参数,避免因温升导致的性能下降或失效问题。
  该MOSFET还集成了良好的抗静电(ESD)保护能力,并通过严格的可靠性测试,如高温反向偏压测试(HTRB)、高温栅极偏压测试(HTGB)等,保证了长期运行的稳定性。其坚固的TO-220封装不仅提供了优良的散热路径,也便于安装于散热片上以应对大功率工况。此外,SK3003对dv/dt和di/dt的瞬态变化具有较强的耐受能力,降低了在复杂电磁环境中发生误触发的风险。这些综合优势使其成为中小功率电源适配器、LED驱动电源、家用电器控制模块等领域中理想的功率开关元件。

应用

SK3003主要应用于各类中低压直流和交流电源转换系统中,典型使用场景包括:开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管;小型逆变器和UPS不间断电源中的功率切换单元;LED恒流驱动电源中的高频斩波控制;空调、洗衣机、电冰箱等家用电器的电机驱动与电源管理模块;电子镇流器和节能灯电源电路;工业控制设备中的DC-DC变换器与隔离电源设计。由于其具备600V的高耐压能力和适中的电流承载水平,SK3003特别适用于输入电压较高但输出功率不大的场合,例如220V AC转低压直流的离线式反激电源。此外,在一些需要国产化替代的项目中,SK3003因其稳定的质量和本地化供应优势,常被选作STP3NK60Z、2N60、FQP6N60等国际品牌MOSFET的替代方案,广泛服务于消费电子、工业自动化和绿色照明等多个领域。

替代型号

STP3NK60Z
  FQP6N60
  2N60
  KSP6N60

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