SK25UT 时间：2025/8/22 23:29:28 阅读：4

SK25UT 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。SK25UT 采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A（@ Tc=100°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 0.045Ω @ VGS=10V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220、DPAK、DFN5x6 等

特性

SK25UT 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其最大导通电阻仅为 0.045Ω，在 VGS=10V 条件下可确保稳定工作。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持较高的导通能力和可靠性，适用于高功率密度的设计。
　　SK25UT 具有较高的栅极电荷（Qg），适合用于中高频开关应用，能够在 100kHz 以上的工作频率下保持良好的开关性能。同时，其栅极驱动电压范围宽（4.5V ~ 20V），兼容多种驱动电路，包括标准逻辑电平驱动器。
　　该 MOSFET 还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提升了系统的稳定性和安全性。此外，SK25UT 提供多种封装形式，便于根据不同的应用需求选择合适的封装方式，如 TO-220 适用于高功率应用，DFN5x6 则适合空间受限的设计。

应用

SK25UT 主要用于各种高效率电源管理系统，包括同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池充电管理电路。在同步整流拓扑中，SK25UT 的低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率；在电机控制应用中，其高电流能力和良好的开关特性可支持精确的速度和方向控制。
　　该器件也常用于工业自动化系统中的负载开关控制，如 LED 驱动、继电器替代、电磁阀控制等。由于其良好的热稳定性，SK25UT 也适合应用于高温工作环境下的工业设备和汽车电子系统。