SK25KQ08 时间：2025/8/23 12:53:50 阅读：15

SK25KQ08 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池供电设备等场景。SK25KQ08 采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和集成到各种电子系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：25V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大8mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：35W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

SK25KQ08 的核心优势在于其出色的导通性能和开关速度。该器件采用东芝先进的U-MOS VIII-H技术，使得导通电阻（Rds(on)）非常低，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其最大导通电阻为8mΩ，当栅极驱动电压为10V时，能够实现高效的电流传输。
　　此外，SK25KQ08 的封装设计优化了热性能，TO-252（DPAK）封装具备良好的散热能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。该器件的连续漏极电流能力为12A，适用于中等功率级别的应用，例如电源管理模块、DC-DC降压/升压转换器和负载开关控制。
　　在开关性能方面，SK25KQ08 的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）较小，有助于减少开关损耗并提高响应速度，适用于高频开关电路。栅极电荷（Qg）也相对较低，这意味着它对驱动电路的要求较低，适用于PWM控制等高频应用场景。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在突发短路或瞬态过载情况下保持稳定，增强了系统的可靠性。

应用

SK25KQ08 主要应用于需要高效能、高频率开关的电源系统中。常见的使用场景包括但不限于：DC-DC转换器中的同步整流和开关元件、电机驱动电路中的功率开关、便携式电子设备的电源管理模块、LED照明驱动电路以及电池充电管理系统等。其低导通电阻和快速开关特性使其在节能型电源设计中表现出色，尤其适合对效率和热管理要求较高的应用环境。