容量：256GB
　　接口：eMMC 5.1
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　读取速度：400MB/s
　　写入速度：200MB/s
　　工作温度：-25°C 至 +85°C
　　封装类型：BGA
　　尺寸：11.5mm x 13mm x 1.2mm

SK25GD12T4ETE1采用了三星的V-NAND技术，这是一种垂直堆叠的NAND闪存架构，与传统的平面NAND相比，V-NAND技术显著提高了存储密度，同时降低了功耗。该芯片还具有出色的耐用性，支持高达3000次编程/擦除周期（P/E cycles），确保了长期使用的可靠性。
　　此外，SK25GD12T4ETE1支持eMMC 5.1接口标准，提供高达400MB/s的顺序读取速度和200MB/s的顺序写入速度，能够满足高性能存储需求。其低功耗设计使其非常适合用于移动设备和嵌入式系统，延长了电池寿命并降低了整体功耗。
　　该芯片还内置了错误校正码（ECC）功能，能够自动检测并纠正数据错误，确保数据的完整性和可靠性。此外，它支持多种安全特性，如写保护和安全擦除功能，有助于保护用户数据免受意外丢失或未经授权的访问。

SK25GD12T4ETE1广泛应用于各种嵌入式存储解决方案中，包括智能手机、平板电脑、智能电视、车载娱乐系统和工业控制设备。由于其高性能、低功耗和高可靠性，该芯片非常适合用于需要大容量存储和快速数据访问的移动设备。
　　在智能手机和平板电脑中，SK25GD12T4ETE1可以作为主存储器，提供快速的应用程序加载和数据访问体验。在智能电视和车载娱乐系统中，它能够支持高清视频播放和快速启动功能。此外，该芯片还适用于工业级设备，如工业PC、POS终端和医疗设备，提供稳定可靠的存储解决方案。
　　由于其支持宽温度范围（-25°C至+85°C），SK25GD12T4ETE1也适用于恶劣环境下的应用，如户外监控设备和工业自动化系统。

Toshiba THGBM5G8A8B4AI0, Micron MT29F256G08CFAMAH