SK25GD065ET 是一款由 Sanken Electric(三肯电气)公司制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效能功率转换和控制的电子电路中。该器件具有低导通电阻、高功率处理能力和快速开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、LED照明和工业自动化设备等领域。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):65A
最大漏源电压(VDS):250V
导通电阻(RDS(on)):0.065Ω
最大功耗(PD):160W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
SK25GD065ET 具备一系列优秀的电气和物理特性,使其成为高要求功率应用的理想选择。其低导通电阻(RDS(on))为0.065Ω,确保了在高电流下仍能保持较低的导通损耗,从而提高整体系统的效率。该MOSFET的最大漏源电压为250V,能够承受较高的电压应力,适用于多种高压电路设计。
此外,SK25GD065ET 采用了TO-247封装,具备良好的热管理和散热性能,能够在高功率条件下保持稳定运行。该封装还具有较高的机械强度和耐热性,适合在恶劣环境中使用。
这款MOSFET的开关速度快,能够有效减少开关损耗,提高系统的响应速度和动态性能。它适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、逆变器和功率放大器等。此外,其最大漏极电流可达65A,使其能够承受较大的负载电流,满足高功率需求。
SK25GD065ET 还具备良好的可靠性和耐用性,经过严格的测试和验证,确保其在长时间运行和高负载条件下的稳定性。它广泛应用于工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及电机驱动系统等关键领域。
SK25GD065ET 主要用于需要高效功率转换和控制的电路中,常见应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明驱动电路、工业自动化控制系统、电动工具、UPS不间断电源、太阳能逆变器和电动汽车充电模块等。其高电压和大电流特性也使其适用于需要高压隔离和高可靠性的工业设备和电力电子系统。
IXFH65N25P3, IRFP4668PBF, STP65N250M5, FDPF65N250V