FC0330M 时间：2025/9/14 5:13:26 阅读：32

FC0330M 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及各种中高功率电子系统中。FC0330M 采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于高效率和高功率密度的设计需求。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：82A（在 Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：320A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.3mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：PowerTrench?
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　功耗（Pd）：200W

特性

FC0330M 具备出色的导通和开关性能，得益于其先进的沟槽式 MOSFET 技术。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，有助于提升系统效率。该器件的高电流承载能力和低热阻特性使其在高功率应用中表现出色，能够有效应对高温工作环境。
　　此外，FC0330M 的栅极设计具有较高的抗静电能力（ESD），增强了器件的稳定性和可靠性。其±20V 的栅源电压耐受能力也为设计者提供了更大的驱动灵活性。
　　该MOSFET的封装形式为PowerTrench?，采用表面贴装技术（SMD），便于自动化生产和紧凑型PCB布局。其200W的高功耗能力也支持在高负载条件下稳定运行。

应用

FC0330M 常用于各种高功率电子系统中，例如：服务器和通信设备的电源模块、DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、马达驱动器、负载开关、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及高功率LED照明系统等。由于其优异的导通性能和热管理能力，该器件在需要高效率和高可靠性的应用场景中尤为受欢迎。