时间：2025/8/23 17:10:07
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SK25GD063 是一款由Sanken（三肯）公司生产的功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压、高电流容量和良好的热稳定性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和功率放大器等高功率应用场景。SK25GD063采用TO-220封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级和消费类电子产品。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：8A
脉冲漏极电流（IDM）：32A
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.45Ω
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
SK25GD063具有多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度和高效率的电源系统设计。
首先，该MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)），典型值为0.45Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率，并减少发热。在高电流工作条件下，这种低RDS(on)特性尤为重要。
其次，SK25GD063的漏源耐压（VDS）为600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路和开关电源主开关等应用。其栅源电压（VGS）可达±30V，提供良好的栅极控制稳定性，同时具备较强的抗过压能力。
该器件的最大连续漏极电流为8A，在短时间脉冲条件下可承受高达32A的电流，这使其在瞬态负载或高冲击电流应用中表现出色。同时，其最大功率耗散为50W，配合TO-220封装的优良散热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。
此外，SK25GD063的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境下的工业和消费类电子设备。TO-220封装不仅便于安装和散热，还具备良好的机械强度和电气隔离性能，确保长期可靠运行。
SK25GD063适用于多种功率电子系统，特别是在需要高压、高电流和高效率的场合。
其主要应用包括开关电源（SMPS），用于主开关或次级侧整流开关，以实现高效能的能量转换。由于其高耐压和低导通电阻，该器件在PFC（功率因数校正）电路中表现出色，有助于提升整体电源系统的效率和稳定性。
此外，SK25GD063也常用于DC-DC转换器，如升压（Boost）、降压（Buck）和反激式转换器，适用于工业控制、通信设备和新能源系统中的电源管理模块。
在电机驱动应用中，该MOSFET可用于H桥电路中的高边或低边开关，支持高效直流电机或步进电机的驱动控制。它也适用于LED驱动电源、电池充电器和逆变器等高功率电子产品中，确保系统在高负载条件下仍能稳定运行。
在消费类电子领域，SK25GD063可用于电视电源、LED背光驱动和智能家电的功率控制模块，满足现代电子产品对高能效和小型化设计的需求。
TK25X60,TM25GD06,TM25GD063
