时间：2025/8/22 23:31:03
阅读：4
SK25DGDL065ET是一款由SEMIKRON（西门康）制造的双功率晶体管模块，属于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块。该模块集成了两个IGBT芯片和反向并联的二极管芯片，适用于高功率和高效率的电力电子应用。SK25DGDL065ET采用了先进的封装技术，确保了模块在高电压和高电流条件下的稳定运行。其设计旨在提供高可靠性和长寿命，适用于工业电机驱动、可再生能源系统和电动汽车等领域。
类型：IGBT模块
集电极-发射极电压（Vce）：650V
额定集电极电流（Ic）：25A
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：双列直插式（DIP）
安装方式：通孔安装
短路耐受能力：5μs（典型值）
热阻（Rth）：0.35K/W（典型值）
最大工作频率：20kHz
二极管反向恢复时间（trr）：50ns（典型值）
SK25DGDL065ET模块采用了SEMIKRON先进的IGBT芯片技术，具有优异的导通和开关性能。该模块的双IGBT结构允许其在半桥配置中使用，简化了电路设计并提高了系统的可靠性。模块内部集成了快速恢复二极管，能够在逆变器应用中提供高效的能量回馈。此外，SK25DGDL065ET采用了高绝缘材料和优化的内部布局，确保了模块在高电压和高湿度环境下的稳定性和安全性。模块的封装设计具有良好的散热性能，能够在高功率密度应用中有效降低温度上升，延长使用寿命。此外，模块还具备良好的短路保护能力，能够在异常工况下保护器件不受损坏。
SK25DGDL065ET广泛应用于各种电力电子设备中，如工业电机驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动汽车充电系统。由于其高功率密度和优异的电气性能，该模块特别适合于需要高效率和高可靠性的应用场合。在工业自动化和能源管理系统中，SK25DGDL065ET能够提供稳定的功率转换和控制功能，满足不同负载条件下的需求。
SK25DGDL065ET的替代型号包括英飞凌（Infineon）的FF25R65S4E4和富士电机（Fuji Electric）的2MBI25D-060-01。这些型号在电气性能和封装尺寸上与SK25DGDL065ET相似，可以作为替代选择。
