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MRF586 发布时间 时间:2025/9/4 2:30:34 查看 阅读:10

MRF586 是一款由 NXP Semiconductors 生产的高功率射频(RF)晶体管,广泛应用于射频功率放大器中,尤其是在无线通信、广播系统和工业设备中。这款晶体管采用硅双极型晶体管(BJT)结构,能够在较高的频率下提供高输出功率和良好的线性性能。

参数

类型:双极型射频晶体管
  最大集电极电流:15 A
  最大集电极-发射极电压:65 V
  最大功耗:300 W
  工作频率范围:175 MHz - 500 MHz
  输出功率:约 125 W @ 225 MHz
  增益:约 10 dB @ 225 MHz
  封装类型:TO-3P

特性

MRF586 是一款适用于高功率 RF 放大应用的晶体管,具有出色的功率处理能力和高效率。该器件在 175 MHz 至 500 MHz 的频率范围内表现出良好的增益和线性度,适用于 FM 广播、无线通信基站、工业加热设备等应用。MRF586 采用 TO-3P 封装,便于安装在散热器上以确保良好的热管理。此外,该晶体管具有较低的失真特性,适用于需要高保真信号放大的系统。MRF586 在设计时考虑了高稳定性和耐用性,能够承受一定程度的负载失配,从而提高整体系统的可靠性。

应用

MRF586 常用于 FM 广播发射机、无线通信基站的功率放大级、工业与科学设备中的射频能量发生器等应用。此外,它也适用于 UHF 频段的高功率放大电路,如数字电视(DTV)发射系统和专业通信设备中的射频放大模块。

替代型号

MRF586M, MRF586MP, MRF589, BLF278, 2SC2879

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MRF586参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 晶体管类型NPN
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)17V
  • 频率 - 跃迁3GHz
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)-
  • 增益13.5dB
  • 功率 - 最大值1W
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)40 @ 50mA,5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA
  • 工作温度-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-205AD,TO-39-3 金属罐
  • 供应商器件封装TO-39