SK15GD12T4ET 是一款由 Semikron(赛米控)制造的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于功率电子领域。该模块具有1200V的高阻断电压和15A的额定集电极电流,适用于中高功率的应用场合。模块内部集成了一个IGBT芯片和一个反向并联的快速恢复二极管,采用T4封装技术,确保了良好的热管理和电气性能。该器件特别适合于需要高效能和高可靠性的工业控制系统,如变频器、伺服驱动器、逆变器以及不间断电源(UPS)系统。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(VCE):1200V
额定集电极电流(IC):15A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
短路耐受能力:有
封装类型:T4
绝缘等级:符合UL认证
栅极驱动电压:±15V(推荐)
最大功耗:100W(典型)
导通压降:约1.7V(典型值)
SK15GD12T4ET 拥有出色的电气和热性能,适用于多种高要求的工业应用。
首先,该模块采用先进的IGBT技术,具有较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体能效并降低了热量产生。在导通状态下,集电极-发射极电压降(VCEsat)约为1.7V,这在同类产品中表现优异,有助于减少功率损耗。
其次,该模块内置了一个快速恢复二极管,与IGBT芯片共封装在一个封装中,形成了一个完整的功率开关单元。这种集成设计简化了电路布局,提高了系统的可靠性,并减少了外部元件的数量。
再者,T4封装技术提供了良好的热管理能力,模块的基板采用铜材质,热导率高,确保了良好的散热性能。此外,模块的绝缘性能优异,符合UL认证标准,能够承受较高的工作电压,适用于高电压应用场合。
另外,该模块具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的短路电流而不损坏,提高了系统的安全性和稳定性。这使得SK15GD12T4ET非常适用于需要频繁开关或负载变化较大的应用场景。
最后,模块的封装设计紧凑,安装简便,适用于多种PCB布局方式,能够适应不同的系统设计需求。
SK15GD12T4ET 主要应用于中高功率的电力电子系统中。
最常见的应用包括工业变频器和伺服驱动器。在这些系统中,该模块用于实现对电机的高效控制,提供稳定的功率输出,并具有良好的动态响应能力。
此外,该模块也广泛用于逆变器系统,如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。在这些应用中,SK15GD12T4ET 可以实现高效的DC-AC转换,提供高质量的输出波形,并具有较长的使用寿命和高可靠性。
同时,该模块也可用于感应加热、电焊机和电动车辆的功率控制系统中。其高耐压能力和良好的热管理性能使其能够在恶劣的工作环境中稳定运行。
在自动化控制系统和工业机器人中,该模块可用于实现高精度的功率控制,满足对效率和可靠性的高要求。
FS15R12W1T4_B11、SK15GD12T41、SK15GD12T4_B12