时间：2025/8/22 23:47:05
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SK15DGDL12T7ETE1是一款由Vishay Semiconductors制造的双极性晶体管（BJT）阵列，适用于高频率和高增益应用。该器件集成了两个NPN晶体管，采用小型DFN封装，适用于需要高性能和紧凑布局的电路设计。
晶体管类型：NPN双极性晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：12V
集电极电流（IC）：500mA
功率耗散：300mW
频率响应：300MHz
封装类型：DFN
工作温度范围：-55°C至+150°C
SK15DGDL12T7ETE1采用先进的硅工艺制造，提供高增益和低噪声性能，非常适合射频和模拟信号处理应用。其DFN封装不仅节省空间，还提高了热管理和高频性能。每个晶体管具有独立的引脚配置，便于在PCB上进行优化布局。此外，该器件具有优异的稳定性，可在广泛的工作条件下保持一致的性能。由于其双晶体管结构，可以用于差分放大器、推挽放大器和射频混频器等复杂电路设计。
SK15DGDL12T7ETE1广泛应用于无线通信设备、射频放大器、音频放大器、传感器接口电路以及工业控制系统。其高频特性使其成为射频前端模块和低噪声放大器的理想选择。
BC847BDS15W, MMBT3904LT1G, 2N3904LT
