时间：2025/12/26 22:02:33
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SK040R是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路以及电机驱动等高效率功率转换场景。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于多种工业与消费类电子产品中的功率控制需求。SK040R的设计注重能效与可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，因此在DC-DC转换器、电池管理系统、LED驱动电源及开关电源（SMPS）中具有较高的应用价值。其封装形式为TO-220，便于安装于散热片上以实现有效散热，满足大电流工作条件下的热管理要求。此外，该MOSFET具备较强的雪崩能量承受能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
型号：SK040R
制造商：STMicroelectronics
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：40 V
最大连续漏极电流（Id）：140 A
最大脉冲漏极电流（Idm）：560 A
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
导通电阻（Rds(on)）：典型值2.0 mΩ，最大值2.6 mΩ（Vgs = 10 V, Id = 70 A）
栅极电荷（Qg）：典型值190 nC（Vds = 32 V, Id = 70 A, Vgs = 10 V）
输入电容（Ciss）：典型值7000 pF（Vds = 20 V, Vgs = 0 V, f = 1 MHz）
开启延迟时间（td(on)）：典型值25 ns
关断延迟时间（td(off)）：典型值45 ns
反向恢复时间（trr）：典型值45 ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
SK040R具备极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，从而提高了整体系统的能效。其Rds(on)最大值仅为2.6 mΩ，在同类40V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适合用于需要高效功率传输的场合，如大电流同步整流、电动工具电源模块和电动汽车辅助电源系统。该器件采用意法半导体成熟的沟槽栅极工艺，优化了载流子迁移路径，进一步提升了开关性能与热传导效率。
该MOSFET具有优异的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），有助于减少驱动电路的功耗并提升开关频率，适用于高频开关电源设计。同时，其快速的开启与关断响应时间确保了在高速PWM控制中能够精确地进行功率调节，减少了开关过程中的交越损耗。此外，SK040R内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr），可有效抑制电压尖峰，降低电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。
在可靠性方面，SK040R经过严格的质量测试，具备高雪崩能量耐受能力和强大的抗短路性能。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +175°C）使其能够在极端温度环境中稳定运行，适用于工业自动化设备、户外电源系统等严苛应用场景。TO-220封装不仅提供了良好的机械强度，还支持直接连接散热装置，增强长期工作的热稳定性。该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。
SK040R广泛应用于各类高效率功率转换系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、服务器电源单元、电信电源模块、电池供电设备（如电动自行车控制器、UPS不间断电源）、电机驱动电路（如风扇、泵类负载控制）、LED照明驱动电源以及太阳能逆变器中的功率开关部分。由于其高电流承载能力和低导通损耗，也常被用于大功率并联开关阵列或H桥驱动拓扑结构中，实现对直流电机或步进电机的双向控制。此外，在汽车电子辅助系统（非车载牵引主回路）中，如车载充电器、DC-DC转换模块，SK040R也能发挥出色的性能表现。其高可靠性和耐热性使其成为工业级电源设计中的优选器件。
STP140N4F7AG
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