型号：CY7C1345G-100AXI
　　制造商：Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
　　类型：SyncBurst SRAM
　　电压：3.3V ± 0.3V
　　容量：64K x 36 bits (2.25 Mbit)
　　访问时间：100 ns
　　工作频率：最高100 MHz
　　封装形式：29-pin TSOPⅡ
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：同步、地址/数据复用
　　突发模式：支持无粘滞性突发（NoBL）
　　时钟输入：CLK
　　控制信号：ADV#/LD#, CLKEN#, OE#, WE#, BWE#, BWEx#
　　数据宽度：36位
　　刷新要求：无需刷新
　　功耗：典型值为180mW（活动模式），待机模式下低于50mW

CY7C1345G-100AXI具备卓越的高速同步读写能力，其核心特性之一是支持无粘滞性突发（NoBL）模式，这意味着用户可以在一个初始地址之后连续进行任意长度的突发读取或写入操作，而不受固定突发长度的限制。这种灵活性显著提高了数据吞吐效率，特别适用于需要连续数据流传输的应用，如帧缓冲、数据采集和包处理等场景。突发操作由ADV#/LD#信号控制，当该信号被拉低时，内部地址自动递增，实现无缝的地址切换，避免了传统异步SRAM中复杂的地址锁存逻辑，从而简化了系统设计。
　　该器件采用地址与数据总线复用的设计架构，减少了引脚数量，有助于缩小PCB布局空间并降低成本。所有输入输出信号均与时钟上升沿同步，确保了精确的时序匹配和抗干扰能力。为了进一步提升系统兼容性，CY7C1345G支持字节写使能（Byte Write Enable）功能，允许独立控制高18位和低18位数据的写入操作，增强了数据处理的灵活性。此外，它还配备了高级电源管理机制，包括低功耗待机模式和自动进入休眠状态的功能，当设备未被选中或处于空闲周期时，电流消耗可大幅降低，有助于延长电池供电设备的续航时间。
　　在可靠性方面，CY7C1345G-100AXI经过严格的老化测试和热循环验证，能够在工业级温度范围内稳定运行，适应各种严苛的工作环境。其内部电路设计优化了噪声抑制和信号完整性，减少了串扰和时钟抖动的影响。同时，该芯片支持双数据速率（DDR）扩展能力，虽然本型号为单倍数据速率（SDR），但其架构为后续升级提供了良好的兼容基础。总体而言，CY7C1345G-100AXI以其高性能、低延迟和灵活的突发访问机制，成为高端嵌入式系统和通信平台中理想的高速存储解决方案。

CY7C1345G-100AXI主要应用于对数据吞吐率和响应速度有较高要求的电子系统中。在网络通信领域，它常被用作路由器、交换机和基站设备中的数据缓冲区，用于临时存储高速传输的数据包，确保信息能够快速转发而不会造成拥塞。由于其36位宽的数据总线和高达100MHz的工作频率，非常适合处理以太网、SONET/SDH等协议下的大流量数据流。
　　在工业自动化控制系统中，该芯片可用于实时数据采集模块，作为传感器数据的暂存区域，配合DSP或FPGA实现毫秒级响应的闭环控制。测试与测量仪器，如示波器、逻辑分析仪和频谱仪，也广泛采用此类同步突发SRAM来捕获瞬态信号并进行高速回放分析。此外，在军事和航空航天电子系统中，CY7C1345G因其高可靠性和宽温工作能力，被用于雷达信号处理、飞行控制计算机和卫星通信终端等关键任务设备。
　　广播与音视频处理设备同样受益于其快速访问特性，例如数字视频服务器、非线性编辑系统和高清编码器，利用该SRAM进行帧缓存和图像拼接操作。医疗成像设备如超声波机和CT扫描仪也会使用这类高性能SRAM来临时存储原始图像数据，以便后续处理和压缩传输。总之，凡是需要高速、低延迟、可预测访问时间的静态存储应用场景，CY7C1345G-100AXI都是一个值得信赖的选择。

CY7C1344G-100AXI
　　CY7C1345G-100BZI
　　IS61WFV25636BLL-10BLI