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GA1206Y223JBXBR31G 发布时间 时间:2025/5/24 21:43:58 查看 阅读:17

GA1206Y223JBXBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效提升系统的效率和可靠性。
  该器件基于 N 沟道增强型 MOSFET 技术,适用于各种需要高效功率转换的场景。其封装形式为紧凑型表面贴装器件(SMD),便于自动化生产和散热管理。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:70nC
  开关速度:50ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 具备优异的热稳定性和鲁棒性,能够在严苛的工作条件下长期运行。
  4. 小尺寸封装设计,节省 PCB 空间,同时支持高效的热传导。
  5. 内置 ESD 保护功能,增强了芯片的抗静电能力。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电机驱动控制
  3. DC-DC 转换器
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 工业自动化设备中的功率级控制
  6. 汽车电子中的负载切换和逆变器模块

替代型号

IRFZ44N
  FDP5580
  AO3400

GA1206Y223JBXBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-