SJPZ-N33 时间：2025/12/26 22:06:17 阅读：11

SJPZ-N33是一款由圣将科技（SJM Technology）推出的高性能氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET），专为高效率、高频开关电源应用而设计。该器件采用先进的氮化镓半导体工艺制造，具备低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能，适用于现代电源系统中对体积、效率和散热有严格要求的应用场景。SJPZ-N33属于增强型（E-mode）氮化镓晶体管，工作在常关模式，提高了系统的安全性和可靠性，特别适合用于服务器电源、通信电源、电动汽车充电系统、无线充电以及DC-DC转换器等高功率密度场合。
　　该器件通常采用贴片式封装，具有良好的热传导性能和紧凑的外形尺寸，有助于减小整体电源模块的体积。其栅极驱动电压兼容标准硅基MOSFET驱动器，便于系统集成与替换。此外，SJPZ-N33具备出色的抗寄生电感能力，能够有效减少开关过程中的电压过冲和振荡，从而提升系统稳定性和EMI性能。由于氮化镓材料本身具备更高的电子迁移率和击穿电场强度，相较于传统硅基器件，SJPZ-N33能够在更高频率下工作，显著降低磁性元件和电容的体积与成本，推动电源系统向小型化、高效化发展。

参数

型号：SJPZ-N33
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（E-mode GaN FET）
　　漏源电压（Vds）：650 V
　　连续漏极电流（Id）：15 A
　　脉冲漏极电流（Id,peak）：45 A
　　导通电阻（Rds(on)）：70 mΩ
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.5 V ~ 2.5 V
　　最大栅源电压（Vgs max）：+7 V / -4 V
　　输入电容（Ciss）：1200 pF
　　输出电容（Coss）：280 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　工作结温范围（Tj）：-40 °C ~ +150 °C
　　封装形式：DFN8x8 或类似贴片封装
　　开关频率典型值：可达 2 MHz
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

SJPZ-N33作为一款高性能增强型氮化镓场效应晶体管，其最突出的特性之一是采用了650V耐压等级的氮化镓材料体系，使其在高压应用场景中具备卓越的电气性能。氮化镓材料拥有比传统硅更高的临界电场强度和电子迁移率，因此SJPZ-N33能够在保持较低导通损耗的同时实现极快的开关速度。其典型导通电阻仅为70mΩ，在同类产品中处于领先水平，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。这种低Rds(on)特性尤其在大电流输出条件下表现明显，减少了发热，延长了系统寿命，并允许更高的功率密度设计。
　　该器件为增强型（E-mode）结构，意味着在栅极电压为零时器件处于关闭状态，这一特性极大地简化了驱动电路的设计，避免了耗尽型（D-mode）器件所需的负压关断机制，提升了系统安全性与可靠性。同时，其栅极驱动电压范围为+5V至+7V，与现有的硅基MOSFET驱动IC完全兼容，无需额外设计复杂的驱动电路，有利于现有电源系统的升级与替代。SJPZ-N33的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）均经过优化设计，使得在高频开关过程中充放电能量更少，进一步降低了开关损耗，支持高达2MHz的开关频率运行，非常适合用于LLC谐振变换器、有源钳位反激（ACF）和图腾柱PFC等先进拓扑结构。
　　另一个关键优势是其几乎为零的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这是由于氮化镓器件为单极型载流子器件，不存在传统硅MOSFET或IGBT中的少数载流子存储效应。这一特性极大减少了桥式电路中因体二极管反向恢复引起的损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统在高频下的稳定性与效率。此外，SJPZ-N33具备良好的热稳定性，结温可达150°C，且在高温下仍能维持稳定的电气性能。其DFN类封装具备低热阻特性，可有效将热量传导至PCB，配合合理的布局布线，可实现高效的散热管理，适用于高功率密度和长时间运行的工业级应用环境。

应用

SJPZ-N33广泛应用于需要高效率、高频率和高功率密度的电力电子系统中。典型应用包括通信电源系统中的AC-DC和DC-DC转换模块，尤其是在5G基站和数据中心服务器电源中，对能效和空间利用率要求极高，该器件能够显著提升电源效率并缩小系统体积。此外，它也适用于新能源汽车领域的车载充电机（OBC）和DC-DC变换器，利用其高频开关能力实现轻量化和高集成度设计。在工业电源、光伏逆变器、UPS不间断电源以及高端消费类电子产品如快充适配器中，SJPZ-N33同样表现出色，特别是在图腾柱无桥PFC电路中，其零反向恢复特性可大幅提升功率因数校正级的效率。同时，该器件还可用于激光驱动电源、医疗设备电源以及无线充电发射端等对EMI敏感的应用场景，凭借其快速开关和低噪声特性提供稳定可靠的电力转换解决方案。