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SJD12A33L01 发布时间 时间:2025/7/1 18:36:11 查看 阅读:6

SJD12A33L01是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、电池保护等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够在高频工作条件下提供高效稳定的性能。
  SJD12A33L01属于逻辑电平增强型N沟道MOSFET,其设计目的是降低系统功耗并提高整体效率。得益于其优秀的电气特性和紧凑的封装形式,该器件非常适合空间受限的应用环境。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:16A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:39nC
  总电容:540pF
  工作结温范围:-55℃ to +175℃

特性

SJD12A33L01的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高能效。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 强大的过流能力,支持高达16A的连续漏极电流。
  4. 逻辑电平驱动,简化了与控制器的接口设计。
  5. 紧凑的封装尺寸,节省PCB空间。
  6. 宽泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  5. 各种需要高效功率转换和开关操作的电子设备。

替代型号

SJD12A33K01, IRF3710, FDP18N30

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SJD12A33L01参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格1 : ¥3.10000剪切带(CT)3,000 : ¥0.58055卷带(TR)
  • 系列SJD12A33L01
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 类型齐纳
  • 单向通道1
  • 双向通道-
  • 电压 - 反向断态(典型值)33V
  • 电压 - 击穿(最小值)36.7V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)53.3V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)3.8A
  • 功率 - 峰值脉冲1000W(1kW)
  • 电源线路保护
  • 应用通用
  • 不同频率时电容-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-219AA
  • 供应商器件封装SOD-123S