时间：2025/8/1 23:16:42
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IS46R16320E-6TLA1是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）。该器件采用CMOS技术制造，具有高速访问时间、低功耗和高可靠性等优点，适用于需要高性能存储解决方案的工业控制、网络设备、通信系统和嵌入式应用。IS46R16320E-6TLA1为32Mbit（1M x 32）容量的SRAM，采用54引脚TSOP封装，工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），适用于各种严苛环境。
容量：32Mbit (1M x 32)
组织结构：x32
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：-6T（最大5.4ns）
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装形式：54-TSOP
读取电流：典型值180mA（在3.3V、f = 1MHz时）
待机电流：最大10mA
输入/输出电平：兼容TTL/CMOS
IS46R16320E-6TLA1具备多项优异特性，确保其在多种应用场景下的稳定性和高性能表现。首先，其高速访问时间为5.4ns，使其适用于对数据读写速度要求较高的系统。该SRAM采用CMOS工艺，具有较低的静态功耗，在待机模式下仅消耗极小的电流，有助于降低整体系统功耗。此外，其支持TTL/CMOS兼容的输入输出电平，便于与多种微控制器和外围设备接口连接。
该器件采用异步设计，无需时钟信号控制，简化了电路设计并降低了系统复杂度。其封装为54-TSOP，具有良好的散热性能和空间适配性，适合高密度PCB布局。IS46R16320E-6TLA1的工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保其在极端温度环境下仍能稳定运行，适用于工业自动化、车载系统、通信基础设施等严苛应用环境。
此外，该SRAM具有高抗干扰能力和数据保持稳定性，在断电情况下无需额外电池供电即可保持数据完整性。其具备自动低功耗模式（待机模式），可在不使用时有效节省电能，同时支持快速唤醒功能，确保系统响应的实时性。这些特性使其成为高性能嵌入式系统、数据缓存、图形处理和高速缓冲存储的理想选择。
IS46R16320E-6TLA1广泛应用于对存储性能和稳定性要求较高的电子系统中。典型应用包括工业控制设备（如PLC、工业计算机）、网络与通信设备（如路由器、交换机、基站控制器）、嵌入式系统（如智能仪表、安防设备）、汽车电子（如车载导航、ADAS系统）以及医疗设备等。该SRAM可作为高速缓存、临时数据存储或主存使用，适用于需要快速数据访问和低功耗设计的场合。此外，由于其宽温特性和高可靠性，也常用于航空航天、军事设备及恶劣环境下的控制系统。
IS46R16320B-6TLA1, IS46R16320F-6TLA1
