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SJD12A06L01 发布时间 时间:2025/7/3 15:27:34 查看 阅读:7

SJD12A06L01是一种高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种电源管理和功率转换应用。其出色的性能使其成为需要高效能和小体积设计的理想选择。
  该型号属于SJ系列,通常被广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域,能够满足严格的效率和可靠性要求。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:38nC
  输入电容:1190pF
  工作温度范围:-55℃至150℃
  封装形式:TO-220FP

特性

SJD12A06L01具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
  2. 高速开关能力,可适应高频操作环境。
  3. 较高的雪崩耐量,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 优化的热性能设计,确保在高温环境下长期稳定运行。
  5. 小型化封装,便于PCB布局和空间受限的设计需求。
  6. 符合RoHS标准,支持环保制造流程。
  SJD12A06L01通过这些特点,为工程师提供了灵活且高效的解决方案,适用于多种应用场景。

应用

SJD12A06L01主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 通信基站的电源模块。
  6. 汽车电子系统中的逆变器和电池管理。
  由于其卓越的性能和可靠性,SJD12A06L01成为了众多高要求应用的理想选择。

替代型号

SJD12A06L02, IRFZ44N, FDP5500

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SJD12A06L01参数

  • 现有数量3,000现货
  • 价格1 : ¥3.10000剪切带(CT)3,000 : ¥0.58055卷带(TR)
  • 系列SJD12A06L01
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 类型齐纳
  • 单向通道1
  • 双向通道-
  • 电压 - 反向断态(典型值)6V
  • 电压 - 击穿(最小值)6.67V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)10.3V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)19.4A
  • 功率 - 峰值脉冲1000W(1kW)
  • 电源线路保护
  • 应用通用
  • 不同频率时电容-
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-219AA
  • 供应商器件封装SOD-123S