类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤4.0mΩ（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

SJD1040T4 的核心优势在于其低导通电阻，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得其在相同封装下具备更高的电流承载能力和更低的开关损耗。
　　此外，SJD1040T4 具备较高的栅极电荷（Qg）性能，使其在高频开关应用中表现出良好的响应特性，适用于高频率的DC-DC转换器设计。其封装形式（TO-252）具有良好的热管理能力，能够有效地将热量传导到PCB板上，提高器件的可靠性。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，确保在异常工作条件下仍能保持一定的稳定性，适用于工业级和汽车电子等高要求环境。SJD1040T4 的封装设计便于焊接和安装，适用于自动化生产流程，提高了产品的可制造性和一致性。

SJD1040T4 广泛应用于各类电源管理系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动控制器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源管理模块以及工业自动化设备等。其低导通电阻和高电流能力使其成为大功率电源转换和高效能电机控制的理想选择。
　　在汽车电子领域，SJD1040T4 可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等应用。在新能源领域，该器件也被广泛应用于太阳能逆变器和储能系统的功率开关电路中。
　　此外，SJD1040T4 也适用于服务器电源、通信设备电源、LED照明驱动等高效率、高密度电源设计中，为现代电子设备提供稳定可靠的功率控制解决方案。

SiR1040BDP、IRF1010E、STP100N4F5、FDMS86101