类型：功率 MOSFET
　　沟道类型：双 N 沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：17mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：23mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SO-8

SISH85-102 的核心特性在于其优异的导通性能和热管理能力。该器件采用 Vishay 的 TrenchFET 技术，使得导通电阻极低，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，其双 N 沟道设计使得在一个封装中集成了两个独立的 MOSFET，适用于多种拓扑结构，如同步整流、H 桥控制等。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压，使其兼容多种控制电路，如 PWM 控制器或微处理器输出。SISH85-102 的封装设计优化了热性能，确保在高电流工作条件下仍能保持较低的温度上升，延长器件寿命并提高系统稳定性。
　　在可靠性方面，SISH85-102 提供了良好的短路和过热保护能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其高耐压能力和低导通电阻相结合，使其成为许多高性能功率应用的理想选择。

SISH85-102 广泛应用于多种电力电子系统中，如同步降压或升压 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、服务器和通信设备的电源模块等。其双 N 沟道结构特别适合用于同步整流拓扑，以提高转换效率并减少外围元件数量。此外，SISH85-102 也常用于便携式设备中的电源管理单元，用于实现高效的电压调节和负载切换功能。在工业自动化和汽车电子系统中，它也常被用于控制电机、继电器和 LED 阵列等负载。

Si8822EDB, BSC080N03MS