时间：2025/5/7 21:28:41
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SISH108DN-T1-GE3 是一款来自 Vishay 的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有出色的导通电阻和开关性能，适用于需要高效能功率转换的应用场景。它采用了 TO-263 (DPAK) 封装形式，具备良好的散热特性和紧凑设计，适合多种工业和消费类电子应用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：9.7A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：22nC
开关时间：典型值 t_on=12ns，t_off=25ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
SISH108DN-T1-GE3 使用 Vishay 的先进 TrenchFET 技术制造，能够在低电压应用中提供非常低的导通电阻，从而降低传导损耗并提高系统效率。
该器件还具有较低的栅极电荷和输出电荷，有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
其封装形式（TO-263）提供了优异的热性能，并且便于表面贴装工艺中的使用。
SISH108DN-T1-GE3 在高频率操作下的表现尤为突出，非常适合 DC/DC 转换器、负载点调节器、电机驱动器以及电池供电设备等应用领域。
这款 MOSFET 主要用于需要高效功率管理的场合，包括但不限于以下应用：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC/DC 转换器
- 电机驱动和控制
- 便携式电子设备中的负载切换
- 工业自动化系统中的功率控制
- LED 照明驱动电路
SIPH108DN-T1-GE3, SIH108DN-E3, IRF7745PBF
