TF90N02是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件以其低导通电阻和快速开关特性而著称,能够有效降低功率损耗并提高效率。
TF90N02的工作电压范围为20V,适合低压应用环境。它具有较高的电流处理能力,能够满足多种功率转换需求。此外,其封装形式通常为TO-220或TO-252,便于安装和散热设计。
最大漏源电压:20V
连续漏极电流:90A
导通电阻:1.6mΩ
栅极电荷:85nC
总功耗:130W
工作结温范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保了高效的功率转换,减少了热损耗。
2. 快速开关性能使其适用于高频开关应用,例如开关电源和DC-DC转换器。
3. 高电流承载能力使得TF90N02能够在高负载条件下稳定运行。
4. 良好的热稳定性,允许在较宽的温度范围内使用。
5. 紧凑的封装设计简化了PCB布局和散热管理。
6. 提供出色的耐用性和可靠性,适用于工业及汽车级应用。
1. 开关电源中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动电路。
4. 工业控制设备中的功率开关。
5. 电池管理系统中的负载切换开关。
6. 汽车电子系统中的各类功率管理模块。
IRFZ44N
STP90NF02
FDP9010
IXYS IXFN90N2L2