类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流 (Ic)：100 mA
　　最大集电极-发射极电压 (Vce)：30 V
　　最大集电极-基极电压 (Vcb)：30 V
　　最大功耗 (Ptot)：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-223
　　增益带宽积：100 MHz
　　电流增益 (hFE)：110-800（根据等级划分）

SIS502NT1G 晶体管具有多项优异的电气和物理特性，使其在各种电子电路中表现出色。
　　首先，该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，能够满足大多数低功耗放大和开关应用的需求。其集电极-发射极和集电极-基极的最大电压均为 30 V，这意味着它可以在相对较高的电压环境下工作，同时保持良好的稳定性和可靠性。
　　其次，SIS502NT1G 的电流增益（hFE）范围为 110 到 800，具体取决于不同的等级划分。这种高增益特性使其在信号放大电路中表现优异，可以有效提升电路的放大效率。
　　再者，该晶体管采用 SOT-223 封装，这种封装形式不仅具有良好的散热性能，还适合表面贴装工艺，便于在现代 PCB 设计中实现高密度组装。此外，SOT-223 封装也具有较好的机械强度和耐久性，能够适应多种工作环境。
　　此外，SIS502NT1G 的最大功耗为 300 mW，能够在一定程度上承受较高的功率负荷，同时保持较低的热阻，从而减少热量对晶体管性能的影响。
　　最后，这款晶体管的工作温度范围较宽，最高可达 150°C，确保在高温环境下仍能正常运行。这种特性对于工业级和汽车电子应用尤为重要，能够提供更高的可靠性和稳定性。

SIS502NT1G 晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于以下几种典型应用场景。
　　在放大电路中，SIS502NT1G 可用于音频放大、信号放大等场合。由于其具有较高的电流增益和良好的频率响应特性，能够有效地放大微弱信号，适用于音频前置放大器、传感器信号放大器等应用。
　　在开关电路中，SIS502NT1G 可作为电子开关使用，控制负载的通断。其较高的集电极电流和电压耐受能力使其适用于小型继电器驱动、LED 驱动、电机控制等场景。此外，SIS502NT1G 也可以用于数字电路中的逻辑开关，提供稳定的开关性能。
　　在电源管理电路中，SIS502NT1G 可用于稳压电路、电流源和电压参考电路等。其良好的热稳定性和较高的可靠性使其在电源调节和保护电路中表现出色。
　　此外，SIS502NT1G 还广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备、汽车电子系统以及通信设备中。例如，在汽车电子中，它可用于车灯控制、传感器信号处理等应用；在通信设备中，可用于信号调理和放大。
　　总的来说，SIS502NT1G 的多功能性和高可靠性使其成为一款广泛适用于多种电子设计的晶体管。

BC547, 2N3904, PN2222A