SIS501NT1G 时间：2025/7/28 11:53:52 阅读：4

SIS501NT1G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的双N沟道功率MOSFET器件，采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻和高开关性能。该器件主要用于电源管理和负载开关等应用，具有高效率和良好的热稳定性。SIS501NT1G采用1.2mm x 1.0mm的小型DFN封装，适用于对空间要求严格的便携式设备设计。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流（ID）：4.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS = 4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：DFN1006（1.2mm x 1.0mm）

特性

SIS501NT1G采用了先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻的特点，使其在低电压应用中表现出色。该器件的双N沟道结构设计，使其能够有效支持多个电源通道的并联使用，提高整体效率。其导通电阻在4.5V栅极电压下仅为28mΩ，这有助于减少导通损耗并提高能效。此外，SIS501NT1G具有优异的热性能，能够在高温环境下保持稳定运行，适用于高密度的PCB布局设计。该器件还具有快速开关特性，可减少开关损耗并提高系统的整体响应速度。由于其小型DFN封装设计，SIS501NT1G非常适合用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
　　另外，SIS501NT1G符合RoHS标准，无铅环保，适用于环保型电子产品设计。该器件的高可靠性使其成为工业控制、消费类电子和汽车电子等领域的理想选择。通过优化的封装设计，SIS501NT1G能够在高电流条件下保持较低的热阻，从而提高系统的热管理能力。

应用

SIS501NT1G广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效电源管理的场合。该器件常见于智能手机、平板电脑和其他便携式设备的电源管理模块，用于实现高效的电压调节和负载开关功能。此外，SIS501NT1G也适用于电池管理系统，能够有效提高电池的使用效率和寿命。在工业控制领域，该器件可用于电机驱动、传感器控制和电源转换等应用。由于其优异的开关性能和热稳定性，SIS501NT1G也可用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统等。在消费类电子产品中，该器件可用于LED照明、智能家电和无线充电设备等应用场景。